Formation d'interface métal-semiconducteur

Name: Formation d'interface métal-semiconducteur
Brand: Imam, Zineddine
SKU: NW-9786202286466
Price: 39.9 EUR
Availability: InStock

Audience : Adulte - Grand Public

Le Pitch

Littérature française

PrésentationEtudier d'un point de vue fondamental les propriétés physiques des matériaux constitutifs des composants à semi-conducteurs afin de mieux comprendre les mécanismes qui les gouvernent, puis d'améliorer les performances des dispositifs est un des axes prioritaires de la recherche scientifique mondiale. La première partie (originalité) : tracé d'un réseau de véritables isothermes d'adsorption à l'aide de la spectroscopie Auger, en dépit de la difficulté expérimentale, à établir des conditions d'équilibre puis ajuster ces isothermes expérimentales à une isotherme de Fowler et obtenir ainsi directement les énergies d'interaction dépôt-substrat et dépôt-dépôt . La seconde partie, présente une étude comparative des premiers stades de la formation des interfaces métal-noble/ Si(100). La majorité des expériences ayant porté sur l'interface Au/Si(100). A température ambiante, les toutes premières couches d'or forment un alliage amorphe avec les atomes de surface de Si, tandis qu'à haute température, la croissance est du type(SK). En conclusion, ce travail ouvre la voie à des études ultérieures de l'évolution conjointe des structures électronique et structurales dans ces systèmes. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet

Formation d’interface métal-semiconducteur: Etude à l’équilibre : Pb / Ge (111) Etude cinétique : Métaux noble – Si (100)

Auteur

Editeur

Format

Broché

Publication

01 juillet 2018

Audience

Adulte - Grand Public

Pages

76

Taille

22.9 x 15.2 x 0.5 cm

Poids

126

ISBN-13

9786202286466

Imam, Zineddine

Formation d'interface métal-semiconducteur

39,90 €

Le Pitch

Littérature française

PrésentationEtudier d'un point de vue fondamental les propriétés physiques des matériaux constitutifs des composants à semi-conducteurs afin de mieux comprendre les mécanismes qui les gouvernent, puis d'améliorer les performances des dispositifs est un des axes prioritaires de la recherche scientifique mondiale. La première partie (originalité) : tracé d'un réseau de véritables isothermes d'adsorption à l'aide de la spectroscopie Auger, en dépit de la difficulté expérimentale, à établir des conditions d'équilibre puis ajuster ces isothermes expérimentales à une isotherme de Fowler et obtenir ainsi directement les énergies d'interaction dépôt-substrat et dépôt-dépôt . La seconde partie, présente une étude comparative des premiers stades de la formation des interfaces métal-noble/ Si(100). La majorité des expériences ayant porté sur l'interface Au/Si(100). A température ambiante, les toutes premières couches d'or forment un alliage amorphe avec les atomes de surface de Si, tandis qu'à haute température, la croissance est du type(SK). En conclusion, ce travail ouvre la voie à des études ultérieures de l'évolution conjointe des structures électronique et structurales dans ces systèmes. Afficher moinsAfficher plus