Passer au contenu
Mon compte
Wishlist
Panier 00:00
Panier 00:00

Le silicium poreux

Audience : Adulte - Grand Public
Le Pitch
PrésentationCe travail met en évidence l'importance du silicium poreux en présence de tétrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretés lors de la croissance et l'obtention de couches minces de très grande qualité. La première partie est consacrée à une généralité sur les propriétés des couches minces de Si. Dans la deuxième partie nous présentons les propriétés du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. L'effet de gettering par SP en présence du SiCl4 a été évalué par l'augmentation prononcée de la mobilité des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisième partie est présenté le montage utilisé, ainsi que les conditions d'élaboration des couches de silicium. La dernière partie donne les résultats des caractérisations structurales et électriques des couches minces élaborées sur des substrats de SP. Les résultats montrent que la mobilité des porteurs varie de 107 à 186 cm²V-1s-1 et est plus élevée que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD. Afficher moinsAfficher plus

Le silicium poreux

49,00 €
Sélectionnez la condition
49,00 €

Le Pitch

PrésentationCe travail met en évidence l'importance du silicium poreux en présence de tétrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretés lors de la croissance et l'obtention de couches minces de très grande qualité. La première partie est consacrée à une généralité sur les propriétés des couches minces de Si. Dans la deuxième partie nous présentons les propriétés du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. L'effet de gettering par SP en présence du SiCl4 a été évalué par l'augmentation prononcée de la mobilité des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisième partie est présenté le montage utilisé, ainsi que les conditions d'élaboration des couches de silicium. La dernière partie donne les résultats des caractérisations structurales et électriques des couches minces élaborées sur des substrats de SP. Les résultats montrent que la mobilité des porteurs varie de 107 à 186 cm²V-1s-1 et est plus élevée que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet
Le silicium poreux: Application au gettering des impuretés dans le silicium et à la croissance des couches minces de silicium (CMSi) par RT-APCVD
Auteur
Format
Broché
Publication
25 mai 2011
Audience
Adulte - Grand Public
Pages
156
Taille
22.9 x 15.2 x 0.9 cm
Poids
239
ISBN-13
9786131576058
Livré entre : 30 juillet - 4 août
Disponible chez le fournisseur
Impression à la demande
Expédition immédiate
Chez vous entre :
Les délais de livraison ont tendance à s'accélérer ces dernières semaines, le temps indiqué peut être plus court que prévu. Les délais de livraison ont tendance à s'allonger ces dernières semaines, le temps indiqué peut être plus long que prévu.
Livraison gratuite (FR) à partir de 35,00 € de livres neufs
Retour GRATUIT sous 14 jours.
Image to render

Revendez-le sur notre application!

Aller plus loin

Vous pouvez également aimer

Récemment consultés