Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance

Audience : Adulte - Grand Public

Le Pitch

Littérature française

PrésentationL''amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d''une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d''améliorations. L''étude se poursuit avec une recherche de l''influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l''aide d''un banc à charge active permettant d''avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l''amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet

Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance: Les transistors à effet de champ pour la bande de fréquence 26-40 GHz

Auteur

Editeur

Format

Broché

Publication

14 décembre 2010

Audience

Adulte - Grand Public

Pages

Taille

22.9 x 15.2 x 1.8 cm

Poids

ISBN-13

9786131554520

Analyse et optimisation de transistors pour amplification de puissance

89,00 €

Le Pitch

Littérature française

PrésentationL''amélioration permanente des transistors à effet de champ, en terme de fréquence, puissance ou rendement, à conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vides dans les amplificateurs hyperfréquence. Une méthode de caractérisation spécifiques en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d''une utilisation en puissance est présentée. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants associés à des propositions d''améliorations. L''étude se poursuit avec une recherche de l''influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grile sur les comportements en puissance des composants.Enfin un système automatisé de mesures grand signal dans la bande Ka à l''aide d''un banc à charge active permettant d''avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques est développé. Ces mesures et analyses ont pour objectifs l''amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides et monolithiques. Afficher moinsAfficher plus