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Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

Audience : Adulte - Grand Public
Le Pitch
PrésentationDes matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l''industrie des composants électroniques, permet d''atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C''est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d''azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l''effet de n''importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires. Afficher moinsAfficher plus

Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs

39,00 €
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Le Pitch

PrésentationDes matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l''industrie des composants électroniques, permet d''atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C''est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d''azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l''effet de n''importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet
Modélisation de la mobilité des électrons dans les semiconducteurs: Application à l'étude et la modélisation évolutionnaire de la mobilité dans le Nitrure de Gallium (GaN)
Auteur
Format
Broché
Publication
26 novembre 2010
Audience
Adulte - Grand Public
Pages
88
Taille
22.9 x 15.2 x 0.5 cm
Poids
142
ISBN-13
9786131551390
Livré entre : 30 juillet - 4 août
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