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Epitaxie de phosphures à grande échelle

  • Epitaxie de phosphures à grande échelle
Audience : Adulte - Grand Public
Le Pitch
PrésentationLa montée en fréquence des composants renforce l''intérêt pour les semi-conducteurs phosphorés. Le développement des cellules à source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d''envisager des perspectives industrielles pour l''Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), face à la concurrence du dépôt chimique en phase vapeur. C''est l''objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l''IEMN, au sein duquel s''est déroulée cette thèse. Plusieurs aspects de l''EJM de composés phosphorés ont été étudiés dans un bâti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arséniures ont été caractérisées, mettant en évidence le faible effet mémoire du bâti et des interfaces de bonne qualité pour des arrêts de croissance courts voire nuls. Le fort dopage "p" de l''InGaAs a été réalisé au moyen d''une source de CBr4, avec une faible diffusion des dopants et une jonction p-n proche de l''idéalité. Les flux de cellules d''EJM ont été modélisés par la méthode de Monte Carlo, afin d''identifier les paramètres géométriques permettant d''obtenir une bonne uniformité et une stabilité du flux en intensité. Afficher moinsAfficher plus

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Epitaxie de phosphures à grande échelle

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Le Pitch

PrésentationLa montée en fréquence des composants renforce l''intérêt pour les semi-conducteurs phosphorés. Le développement des cellules à source solide de phosphore avec vanne et craqueur permet d''envisager des perspectives industrielles pour l''Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), face à la concurrence du dépôt chimique en phase vapeur. C''est l''objectif du laboratoire commun P-Taxy entre Riber et l''IEMN, au sein duquel s''est déroulée cette thèse. Plusieurs aspects de l''EJM de composés phosphorés ont été étudiés dans un bâti de grand volume. Les interfaces phosphures sur arséniures ont été caractérisées, mettant en évidence le faible effet mémoire du bâti et des interfaces de bonne qualité pour des arrêts de croissance courts voire nuls. Le fort dopage "p" de l''InGaAs a été réalisé au moyen d''une source de CBr4, avec une faible diffusion des dopants et une jonction p-n proche de l''idéalité. Les flux de cellules d''EJM ont été modélisés par la méthode de Monte Carlo, afin d''identifier les paramètres géométriques permettant d''obtenir une bonne uniformité et une stabilité du flux en intensité. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet
Epitaxie de phosphures à grande échelle: Contribution à l'étude de l'épitaxie par jets moléculaires à grande échelle de semi-conducteurs phosphorés
Auteur
Dhellemmes-S
Editeur
UNIV EUROPEENNE
Format
Broché
Publication
26 octobre 2010
Audience
Adulte - Grand Public
Pages
196
Taille
22.9 x 15.2 x 1.1 cm
Poids
296
ISBN-13
9786131541148

Auteur

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