Diodes Electroluminescentes à base de nitrure d'éléments III

Audience : Adulte - Grand Public

Le Pitch

Littérature française

PrésentationCe travail de thèse est axé autour de l'étude des mécanismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives dans les DELs à base de nitrures d'éléments III. Les différentes briques constituant leur structure ont été étudiées. Après un premier chapitre d'introduction rappelant quelques-unes des principales caractéristiques et propriétés physiques des alliages (Al,Ga,In)N, le deuxième chapitre est consacré à l'étude des dopages de type n et de type p. Des études couplées électriques/optiques ont été réalisées afin d'identifier la profondeur énergétique des niveaux associés aux impuretés dopantes et leur influence sur l'efficacité radiative des DELs. L'étude des contacts métal-SC fait l'objet du troisième chapitre. Les mécanismes de recombinaisons de l'alliage (Ga,In)N, zone active des DELs, sont traités dans le quatrième chapitre par le biais de spectrométrie optique UV-visible en fonction de différents paramètres. Finalement, une étude des propriétés opto-électroniques des DELs est réalisée dans la dernière partie. Des hypothèses sur les mécanismes d'électroluminescence sont reportées avec, notamment, la mise en évidence d'un effet tunnel diagonal radiatif. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet

Diodes Electroluminescentes à base de nitrure d'éléments III: Une étude des mécanismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives

Auteur

Editeur

Format

Poche

Publication

19 septembre 2011

Audience

Adulte - Grand Public

Pages

Taille

22 x 15 x 15 cm

Poids

ISBN-13

9786131506338

Diodes Electroluminescentes à base de nitrure d'éléments III

69,00 €

Le Pitch

Littérature française

PrésentationCe travail de thèse est axé autour de l'étude des mécanismes d'injection et de recombinaisons radiatives et non radiatives dans les DELs à base de nitrures d'éléments III. Les différentes briques constituant leur structure ont été étudiées. Après un premier chapitre d'introduction rappelant quelques-unes des principales caractéristiques et propriétés physiques des alliages (Al,Ga,In)N, le deuxième chapitre est consacré à l'étude des dopages de type n et de type p. Des études couplées électriques/optiques ont été réalisées afin d'identifier la profondeur énergétique des niveaux associés aux impuretés dopantes et leur influence sur l'efficacité radiative des DELs. L'étude des contacts métal-SC fait l'objet du troisième chapitre. Les mécanismes de recombinaisons de l'alliage (Ga,In)N, zone active des DELs, sont traités dans le quatrième chapitre par le biais de spectrométrie optique UV-visible en fonction de différents paramètres. Finalement, une étude des propriétés opto-électroniques des DELs est réalisée dans la dernière partie. Des hypothèses sur les mécanismes d'électroluminescence sont reportées avec, notamment, la mise en évidence d'un effet tunnel diagonal radiatif. Afficher moinsAfficher plus