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Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance

Audience : Adulte - Grand Public
Le Pitch
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Les dispositifs à base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes de puissance. Dans ce travail, on présente des études analytiques comparatives des modèles des composants à semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques et thermiques des meilleurs composants comme le SiC-JFET, la diode Schottky SiC et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés par différents constructeurs. L'objectif est d'élaborer un plan de choix guidant les concepteurs de circuits d'électronique de puissance pour sélectionner le composant le plus adapté à leur cahier des charges, en fonction de leurs objectifs et des performances de leurs convertisseurs de puissance. Afficher moinsAfficher plus

Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance

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Le Pitch

Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Les dispositifs à base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes de puissance. Dans ce travail, on présente des études analytiques comparatives des modèles des composants à semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques et thermiques des meilleurs composants comme le SiC-JFET, la diode Schottky SiC et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés par différents constructeurs. L'objectif est d'élaborer un plan de choix guidant les concepteurs de circuits d'électronique de puissance pour sélectionner le composant le plus adapté à leur cahier des charges, en fonction de leurs objectifs et des performances de leurs convertisseurs de puissance. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet
Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance: Etude des composants électronique de base en silicium et en carbure de silicium
Format
Broché
Publication
07 juillet 2016
Audience
Adulte - Grand Public
Pages
148
Taille
22.9 x 15.2 x 0.9 cm
Poids
228
ISBN-13
9783847389798
Livré entre : 31 juillet - 5 août
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