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Mise au point d'un réacteur épitaxial cbe

Audience : Adulte - Grand Public
Le Pitch
PrésentationCe travail consiste à l'asservissement et la mise en marche d'un réacteur d'épitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'Épitaxie Avancée de l'Université de Sherbrooke. Le réacteur sert à la croissance dans l'ultravide de matériaux semi-conducteurs tels que l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matériel informatique de National Instruments sont utilisés pour asservir entre autres l'injection des gaz et la température d'opération. Des améliorations apportées au réacteur sont décrites, notamment les systèmes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de même nature révèlent un matériau de bonne qualité. La rugosité et le comportement en dopage p et n sont rapportés. De même, les propriétés de GaInP sur GaAs, premier matériau ternaire crû au laboratoire, sont rapportées. Finalement, la mise en marche du réacteur d'épitaxie par jets chimiques permet maintenant à cinq étudiants gradués de faire progresser des projets reliés directement à la croissance épitaxiale au Laboratoire d'Épitaxie Avancée de l'Université de Sherbrooke. Afficher moinsAfficher plus

Mise au point d'un réacteur épitaxial cbe

59,90 €
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PrésentationCe travail consiste à l'asservissement et la mise en marche d'un réacteur d'épitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'Épitaxie Avancée de l'Université de Sherbrooke. Le réacteur sert à la croissance dans l'ultravide de matériaux semi-conducteurs tels que l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matériel informatique de National Instruments sont utilisés pour asservir entre autres l'injection des gaz et la température d'opération. Des améliorations apportées au réacteur sont décrites, notamment les systèmes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de même nature révèlent un matériau de bonne qualité. La rugosité et le comportement en dopage p et n sont rapportés. De même, les propriétés de GaInP sur GaAs, premier matériau ternaire crû au laboratoire, sont rapportées. Finalement, la mise en marche du réacteur d'épitaxie par jets chimiques permet maintenant à cinq étudiants gradués de faire progresser des projets reliés directement à la croissance épitaxiale au Laboratoire d'Épitaxie Avancée de l'Université de Sherbrooke. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet
Mise au point d'un réacteur épitaxial CBE: Asservissement du système, croissance de matériaux et caractérisation
Auteur
Editeur
Format
Broché
Publication
27 mars 2014
Audience
Adulte - Grand Public
Pages
120
Taille
22.9 x 15.2 x 0.7 cm
Poids
188
ISBN-13
9783841629364
Livré entre : 31 juillet - 5 août
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