Effet du dopage au silicium sur les propriétés optiques de gaasn

Audience : Adulte - Grand Public

Le Pitch

Littérature française

PrésentationDans ce travail, nous présentons une étude expérimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dopées au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des matériaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des propriétés optiques et des conditions d'interaction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une étude théorique sera dédiée au modèle d'anticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations expérimentales inhabituelles (diminution de l'énergie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et paramètre de courbure géant) suite à l'incorporation de l'azote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons l'étude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des résultats expérimentaux par photoluminescence. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet

Effet du dopage au Silicium sur les propriétés optiques de GaAsN: Alliages semiconducteurs nitrurés dilués pour l'optoélectronique

Auteur

Editeur

Format

Broché

Publication

07 avril 2014

Audience

Adulte - Grand Public

Pages

Taille

22.9 x 15.2 x 0.5 cm

Poids

ISBN-13

9783841625441

Effet du dopage au silicium sur les propriétés optiques de gaasn

45,90 €

Le Pitch

Littérature française

PrésentationDans ce travail, nous présentons une étude expérimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dopées au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des matériaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des propriétés optiques et des conditions d'interaction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une étude théorique sera dédiée au modèle d'anticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations expérimentales inhabituelles (diminution de l'énergie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et paramètre de courbure géant) suite à l'incorporation de l'azote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons l'étude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des résultats expérimentaux par photoluminescence. Afficher moinsAfficher plus