Propriétés optiques et electroniques de gaasn, gaassb et gaasnsb

Audience : Adulte - Grand Public

Le Pitch

Littérature française

PrésentationL'objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l'analyse de l'effet d'incorporation des atomes d'azote et d'antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d'épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d'ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l'arsenic dans GaAs avec de l'azote et/ou avec l'antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d'alliage ainsi que de l'état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l'optoélectronique. L'analyse des résultats ellipsométriques par l'utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d'Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l'alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques. Afficher moinsAfficher plus

Détails du livre

Titre complet

Propriétés Optiques et Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb: Alliages semiconducteurs nitrurés dilués pour l'optoélectronique

Auteur

Editeur

Format

Broché

Publication

11 septembre 2012

Audience

Adulte - Grand Public

Pages

Taille

22.9 x 15.2 x 1.1 cm

Poids

ISBN-13

9783838172934

Propriétés optiques et electroniques de gaasn, gaassb et gaasnsb

59,00 €

Le Pitch

Littérature française

PrésentationL'objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l'analyse de l'effet d'incorporation des atomes d'azote et d'antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d'épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d'ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l'arsenic dans GaAs avec de l'azote et/ou avec l'antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d'alliage ainsi que de l'état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l'optoélectronique. L'analyse des résultats ellipsométriques par l'utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d'Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l'alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques. Afficher moinsAfficher plus